上海和舊金山2014年7月8日電 /美通社/ -- 中微半導體設備有限公司（簡稱「中微」）今日發佈Primo iDEA?（「雙反應室介電質蝕刻去光阻一體機」）-- 這是業界首次將雙反應室介電質蝕刻和去光阻反應室整合在同一個平臺上。Primo iDEA?主要針對2X奈米及更先進的蝕刻製程，運用中微已被業界認可的D-RIE蝕刻技術和Primo平臺，避免了因電漿直接接觸晶圓引發的器件損傷（PID），提高了製程的靈活性，減少了生產成本，提高了生產效率並降低了生產空間。

中微介電質蝕刻及去光阻一體機Primo iDEA (TM)

對於2X奈米及更先進蝕刻製程的晶圓來說，它們對表面電荷的累積極其敏感，並且面臨著PID帶來的潛在風險。Primo iDEA?可將4個等離子體反應臺和2臺非接觸等離子體去光阻反應器整合在同一臺設備中，能夠替代原來需要2臺等離子體蝕刻機、1臺去光阻機、1臺濕式清洗機等4個機臺所加工的後端過程。這一獨特的整合方法使製程步驟得到了較佳化，從而避免了因等離子體接觸引發的的器件損傷。此外，這一方法還大大提高了產量，減少了生產成本，並較大程度上減少了機臺的占地面積。Primo iDEA?同時擁有等離子體蝕刻和非接觸的等離子體源去光阻功能（DSA），是量產較複雜的極小尺寸晶圓中集成多步製程的較佳選擇。

「Primo iDEA?目前已有多臺進入先進的晶圓生產線，並已證明在避免等離子體接觸器件帶來的損害上表現優異，同時又減少了所需機臺的數量。」中微副總裁兼CCP蝕刻產品事業群總經理麥仕義說，「採用Primo iDEA?之後，客戶能夠節省20%的生產成本，並獲得更高的生產效率。對於某一特定的後段製程來說，客戶過去需要5道製程在多種機臺上完成，現在只需3道製程在一臺設備上完成，總體上節省了50%的製程加工時間。」

中微于2004年領先開發了具有獨立自主知識產權的等離子體蝕刻技術。該技術具有甚高頻等離子體源和低頻偏置等離子體源，能夠獨立控制離子密度和能量，並確保晶圓加工高再現性。結合中微具有獨立自主知識產權的離子控制技術，它們能夠共同提高晶圓加工的穩定性，並進一步擴大製程窗口。Primo iDEA?使用的去光阻配套系統採用了性價比較高的雙反應臺室體設計和非接觸等離子體源。頂置的等離子體源所產生的活性反應物質，能均勻地傳送到晶圓表面移除光阻，這一過程中等離子體並不會直接接觸晶圓表面，這就減少了器件損傷（PID）的風險。

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