- 助力人工智能數據中心、機器人等領域實現高效化與小型化的關鍵技術
- 專屬氮化鎵多項目晶圓項目計劃於10月底推出
- 將BCD工藝技術優勢拓展至氮化鎵、碳化硅等化合物半導體領域

韓國首爾2025年9月11日(ri) /美(mei)通社/ -- 全(quan)球領先(xian)的8英寸(cun)特(te)色晶(jing)圓(yuan)代(dai)工廠(chang)DB HiTek今日宣(xuan)布，其下一代(dai)功率(lv)半導(dao)體(ti)平(ping)臺 -- 650V增強型氮(dan)化鎵(jia)高電子遷移(yi)率(lv)晶(jing)體(ti)管(GaN HEMT)工藝開發已進入最(zui)終階段。該公(gong)司還將於10月底推出專屬氮(dan)化鎵(jia)多項(xiang)目(mu)晶(jing)圓(yuan)(MPW)項(xiang)目(mu)。

與傳統硅(gui)基功(gong)率(lv)器件(jian)相比，氮化(hua)(hua)鎵半(ban)導體在高壓、高頻(pin)及高溫(wen)工作環境下具備卓越性能，功(gong)率(lv)效率(lv)出眾。特別是650V增強型氮化(hua)(hua)鎵HEMT，憑借其高速開關(guan)性能與穩健的運行穩定性，成為電(dian)動汽車充電(dian)設施、超大規模(mo)數據中心電(dian)源轉換系統及先進5G網絡設備的理想選擇(ze)。

早在2022年(nian)化(hua)(hua)合(he)物(wu)半(ban)導體市場初現雛形時，DB HiTek便(bian)將(jiang)氮(dan)化(hua)(hua)鎵與(yu)碳化(hua)(hua)硅確(que)立為核心增長引擎，持(chi)續加大(da)工(gong)藝(yi)研發(fa)投入(ru)。公司(si)發(fa)言人表示：「DB HiTek憑借(jie)開發(fa)全球首款0.18微米BCDMOS工(gong)藝(yi)等成就，已(yi)在硅基功率(lv)半(ban)導體領(ling)域獲得(de)國際(ji)認(ren)可。通(tong)過(guo)新增氮(dan)化(hua)(hua)鎵工(gong)藝(yi)能力(li)，我(wo)們(men)將(jiang)以(yi)更(geng)廣(guang)泛的技術組合(he)增強(qiang)市場競爭(zheng)力(li)。」

完成650V氮化鎵HEMT工(gong)藝開發(fa)後(hou)，DB HiTek計劃在(zai)2026年底前(qian)推出200V氮化鎵工(gong)藝及針(zhen)對集成電路優化的650V氮化鎵工(gong)藝。未來公司還(huan)將(jiang)根據(ju)市場需求(qiu)和(he)客戶要求(qiu)，將(jiang)氮化鎵平臺拓展(zhan)至更(geng)廣泛的電壓范圍(wei)。

為支(zhi)持(chi)這些(xie)舉措，DB HiTek正在擴(kuo)建位於韓國忠清北道的Fab2潔淨室設施。此次擴(kuo)建預計每月新增約3.5萬片(pian)8英寸(cun)晶圓產(chan)能，支(zhi)持(chi)氮化(hua)(hua)鎵(jia)、BCDMOS和碳化(hua)(hua)硅(gui)工(gong)藝的生(sheng)產(chan)。擴(kuo)建完成(cheng)後(hou)，DB HiTek的晶圓月總產(chan)能將提升23%，從15.4萬片(pian)增至19萬片(pian)。

與此(ci)同(tong)時，DB HiTek將(jiang)(jiang)參(can)加(jia)於(wu)9月15日(ri)(ri)至(zhi)18日(ri)(ri)在(zai)釜(fu)山BEXCO舉行的2025年國(guo)際碳化硅及相關(guan)材料會議(yi)（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials，簡稱「ICSCRM」）。在(zai)此(ci)次全球行業論壇上，DB HiTek將(jiang)(jiang)重點展(zhan)示碳化硅工藝開發(fa)進展(zhan)，同(tong)時展(zhan)示其氮化鎵和BCDMOS技術(shu)，與客(ke)戶及行業領袖開展(zhan)深度(du)交流(liu)。

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