上海2018年1月26日電 /美通社/ -- 中國智慧財產局專利復審委員會（以下簡稱「專利復審委」）於1月23日作出審查決定書，認定美國維易科精密儀器有限公司公司（以下簡稱「Veeco美國」）的第ZL 01822507.1號(hao)、名稱為"利用化學汽(qi)相沈(shen)積(ji)在晶片(pian)上生長磊晶層的無基座式(shi)反應器"的發(fa)明專(zhuan)利的全部權利要求因不具有新穎性和創造性而無效。

該被宣告無效的(de)專利(li)為去年Veeco美(mei)(mei)國在美(mei)(mei)國紐(niu)約東區法院起訴中(zhong)微的(de)晶片承載盤供(gong)應商專利(li)侵(qin)權的(de)涉案美(mei)(mei)國專利(li)（US 6,506,252、US 6,726,769）的(de)中(zhong)國同族專利(li)。

中微半導體設備（上海）有限公司（以下簡稱「中微」）在(zai)剛開(kai)始(shi)研發(fa)自(zi)己的(de)(de)MOCVD產品技(ji)(ji)術(shu)時(shi)就已充(chong)分分析過此專(zhuan)利(li)(li)，中(zhong)(zhong)微發(fa)現該專(zhuan)利(li)(li)技(ji)(ji)術(shu)從上(shang)個世紀60年(nian)代以(yi)來(lai)就被大(da)量前(qian)置專(zhuan)利(li)(li)公(gong)開(kai)，因(yin)而(er)應屬無效(xiao)專(zhuan)利(li)(li)。中(zhong)(zhong)微對該涉案(an)專(zhuan)利(li)(li)的(de)(de)中(zhong)(zhong)國、韓(han)國和美國同族專(zhuan)利(li)(li)均已提交(jiao)了無效(xiao)宣(xuan)告請(qing)求。

「我非常高興地看到，專利復審委基於我方提交的強有力的證據認定Veeco美國的專利無效。」中微資深副總裁、營運長兼MOCVD產品事業部總經理杜志游博士說：「我們有信心美國專利商標局和韓國智慧財產局的專利審判和上訴委員會也能得出同樣的結論。」

杜志游博士補充道：「一個可執行的專利權必須滿足專利法的要求。我們不能容忍Veeco美國試圖以明顯無效的專利來行使智慧財產權，通過起訴中微的晶片承載盤供應商達到限制競爭的商業目的。」

另一進展是，2018年1月12日，依據中國法律，中國海關基於中微的第CN 202492576號專利（以下簡稱「中微專利」）採取(qu)了(le)智慧財產權(quan)保護(hu)措施，暫時扣押了(le)Veeco Asia公司進口(kou)至中(zhong)國的兩(liang)臺(tai)涉嫌侵(qin)(qin)犯(fan)中(zhong)微(wei)專(zhuan)(zhuan)利的EPIK700型(xing)號的MOCVD設備。針對此涉嫌侵(qin)(qin)權(quan)設備，中(zhong)微(wei)正考慮(lv)採取(qu)後續法律(lv)行動(dong)，包(bao)括(kuo)可(ke)能向中(zhong)國法院提(ti)起專(zhuan)(zhuan)利侵(qin)(qin)權(quan)訴訟。

在此之前，去(qu)年12月，福建省高級人民法院同意了(le)中(zhong)微針對Veeco上海公司的禁令申請，禁止其(qi)進口、製造、向任何(he)第三方(fang)販賣或(huo)要約販賣侵犯中(zhong)微專利(li)的任何(he)化學氣相沈積裝(zhuang)置和(he)用(yong)於(wu)該(gai)等裝(zhuang)置的晶片承載盤。

中微董事長兼執行長尹志堯博士說：「中微不能容忍任何侵犯中微智慧財產權的行為。我們將嚴厲打擊侵犯中微智慧財產權的行為，全力保護我們的智慧財產權投資。當然，我們更願意集中精力在創新產品的研發和為客戶提供優質服務上，而不是浪費時間和資源在法律訴訟上。」

尹志堯博士總結道：「中國LED產業不應當因Veeco美國、晶片承載盤供應商和中微之間的專利訴訟而受干擾和受損。因此，中微願意達成一個有利於三方的解決方案。」

關於中微半導體設備（上海）有限公司

中(zhong)微公司致力於(wu)為全球積體電路和LED晶片(pian)製造商(shang)提(ti)供領(ling)先的(de)加工(gong)(gong)設(she)(she)備和製程技(ji)術(shu)解決(jue)方案。中(zhong)微通過(guo)創新(xin)驅動自主(zhu)研發的(de)等離子(zi)體蝕刻(ke)設(she)(she)備和矽穿孔蝕刻(ke)設(she)(she)備已在國(guo)際主(zhu)要晶片(pian)製造和封測廠商(shang)的(de)生(sheng)產線上廣泛應用於(wu)45奈米到7奈米及更先進的(de)加工(gong)(gong)技(ji)術(shu)和最(zui)先進的(de)封裝技(ji)術(shu)。目前，正在亞洲地區40多(duo)條(tiao)國(guo)際領(ling)先的(de)生(sheng)產線上運行的(de)中(zhong)微反應臺（包括介質蝕刻(ke)、TSV和MOCVD）已超過(guo)800個。中(zhong)微開發的(de)用於(wu)LED和功率元件磊晶片(pian)生(sheng)產的(de)MOCVD設(she)(she)備也已在客戶生(sheng)產線投入量(liang)產。

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